누설 전류 문제는 반도체의 크기가 작아지게 되면서 상대적으로 산화막의 공극이 커지게 되면서
터널링 효과가 발생하기때문이야.
반도체 소자가 작아질수록, 그 소자에 있던 산화막의 공극이 상대적으로 커지는거지.
10나노일때 산화막의 공극과 1나노일때 산화막의 공극이 같더래도, 면적으로 치면 약 10배가 커진거야.
전자는 입자이기 때문에, 특정 압력이 걸리게 되면 그 공간을 통과하는데. 그게 바로 양자 터널링 효과야.
그래서 이 공극을 체워줘야 하는데, 산화막의 밀도를 높이거나 절연층을 만들어주면 되겠지.
소자 성형을 통해서, 절연층을 형성하도록 하는거야.
그러면 누설 전류 문제를 해결할수있어.
2나노 이하에서 수율이 낮은 이유도 누설전류때문인데,
전압을 낮추거나 산화막의 밀도를 높이기만 하더래도 수율이 좋아지지.
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